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电子元器件详细资料 » IC[26973] » SH8M2TB1
型号:SH8M2TB1类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 30V SOP8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 30V SOP8
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C83 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs3.5nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds140pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生86-0755-82561519
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